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　　近期第三代半導(dǎo)體概念備受資本市場關(guān)注，Wind該概念指數(shù)自5月以來累計漲幅近60%，創(chuàng)下歷史新高。證券時報·e公司記者注意到，從上游芯片到設(shè)備，電子行業(yè)上市公司紛紛布局第三代半導(dǎo)體。

　　作為LED芯片龍頭，三安光電6月23日宣布總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體基地一期項目正式點亮投產(chǎn)，將打造國內(nèi)首條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈。據(jù)悉，該產(chǎn)線可月產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅晶圓。這將是三安光電向第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域擴張的重要一步。

　　三安光電股份有限公司副董事長、總經(jīng)理林科闖表示，湖南三安半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造及封裝測試等環(huán)節(jié)，打造了國內(nèi)第一條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，能為客戶提供高品質(zhì)準(zhǔn)時交付產(chǎn)品的同時，兼具大規(guī)模生產(chǎn)的成本優(yōu)勢。

　　目前湖南三安半導(dǎo)體是中國首條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，提供從襯底、外延、晶圓代工、裸芯粒直至分立器件的靈活多元合作方式，有利于形成當(dāng)?shù)貙捊麕О雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚落，加速上游IC設(shè)計公司設(shè)計與驗證迭代，縮短下游終端產(chǎn)品上市周期。

　　LED芯片同行華燦光電最新表示，公司已通過定增投向第三代化合物半導(dǎo)體，業(yè)務(wù)進一步向GaN功率器件延伸，未來下游輻射領(lǐng)域可從消費電子擴展至汽車電子、數(shù)據(jù)中心等各類應(yīng)用。此外，公司第三代半導(dǎo)體材料與器件重點實驗室的各項工作也在有序推進中，但是公司目前暫時沒有開展碳化硅的研發(fā)。

　　去年，華燦光電定增募集15億元，投入建設(shè)GaN基電力電子器件的研發(fā)與制造項目以及mini/Micro LED的研發(fā)與制造項目。

　　從事晶圓IDM生產(chǎn)模式的華潤微也有布局第三代半導(dǎo)體。在5月份舉辦的年度股東大會上，公司首席運營官李虹博士介紹，公司第三代半導(dǎo)體碳化硅二極管實現(xiàn)銷售額突破；在近期機構(gòu)調(diào)研中，公司高管表示公司擁有國內(nèi)首條6英寸商用碳化硅生產(chǎn)線，碳化硅二極管產(chǎn)品已實現(xiàn)銷售額突破，預(yù)計今年將進一步推出SiC MOSFET產(chǎn)品；砷化鎵產(chǎn)品6英寸和8英寸平臺正在同步開展研發(fā)，計劃在今年向市場推出有關(guān)產(chǎn)品。

　　業(yè)內(nèi)人士指出，第三代半導(dǎo)體投資更小，不用百億元就可以做一條碳化硅的IDM產(chǎn)線。相比之下，硅的生產(chǎn)線投資強度更大。

　　作為A股IGBT龍頭，斯達半導(dǎo)也籌劃通過非公開發(fā)行，募資不超35億元，用于高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目、補充流動資金。

　　去年12月，斯達半導(dǎo)投資2.29億元，建設(shè)年產(chǎn)8萬顆車規(guī)級全碳化硅功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測試中心。

　　有業(yè)內(nèi)人士向證券時報·e公司記者介紹，碳化硅器件在驅(qū)動電容電阻領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝和技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，被認(rèn)為可以代替IGBT，但是成本較貴；從功率模組封裝工藝上來說，碳化硅模塊的封裝工藝要求比IGBT模塊要求更高，斯達半導(dǎo)模塊封裝技術(shù)面臨新的考驗。

　　在設(shè)備端，晶盛機電介紹，公司近年布局的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的研發(fā)取得關(guān)鍵進展，成功生長出6英寸碳化硅晶體，公司將持續(xù)加強碳化硅長晶工藝和技術(shù)的研發(fā)和優(yōu)化，并做好研產(chǎn)轉(zhuǎn)化，建立生長、切片、拋光測試線，在量產(chǎn)過程中逐步打磨產(chǎn)品質(zhì)量，掌握純熟工藝和技術(shù)，公司碳化硅外延設(shè)備已通過客戶驗證。

　　另外，華峰測控稱，去年公司的第三代半導(dǎo)體訂單顯著增長，未來隨著氮化鎵、功率模塊和電源管理等新興應(yīng)用帶來大量增量需求。集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化加速推進，測試設(shè)備涉及芯片制造的全部環(huán)節(jié)，與客戶具有較高的粘性將成為測試設(shè)備中巨大的優(yōu)勢。

　　據(jù)介紹，近年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷突破，國產(chǎn)模擬及混合信號芯片進入黃金發(fā)展期。尤其第三代半導(dǎo)體器件在快充、5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊，根據(jù)Yole預(yù)測， 2025年碳化硅功率器件市場規(guī)模將超30億美元，G砷化鎵器件市場規(guī)模將超7億美元，而華峰測控在第三代化合物半導(dǎo)體，尤其是氮化鎵領(lǐng)域布局較早，并已經(jīng)在第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊方面取得了認(rèn)證，量產(chǎn)，解決了多個砷化鎵晶圓測試的業(yè)界難題。